There are disclosed a semiconductor wafer which has undulation components
on wafer back surface and/or wafer front surface of 10 .mu.m.sup.3 or less
represented in terms of power spectrum density at least for the components
at a wavelength of 10 mm; method for producing a semiconductor wafer by
polishing front surface of the semiconductor wafer which is held at its
back surface, which utilizes a semiconductor wafer to be polished having
undulation components on wafer back surface of 10 .mu.m.sup.3 or less
represented in terms of power spectrum density at least for the components
at a wavelength of 10 mm; and wafer chuck provided with a holding surface
for holding a wafer by chucking, wherein the holding surface has
undulation components of 10 .mu.m.sup.3 or less represented in terms of
power spectrum density at least for the components at a wavelength of 10
mm. According to the present invention, undulation components of
semiconductor wafers can be quantitatively evaluated, and thereby there
can be provided a semiconductor wafer free from surface undulation
components, a method for producing such a semiconductor wafer, and a wafer
chuck therefor. Such undulation components may cause problems upon
lithography, device separation and the like in the device-processing
steps.
Er onthuld een halfgeleiderwafeltje wordt dat golvingscomponenten op wafeltje achteroppervlakte en/of wafeltje vooroppervlakte van mu.m.sup.3 10 of minder vertegenwoordigd in termen van de dichtheid van het machtsspectrum op zijn minst voor de componenten bij een golflengte van 10 mm heeft; de methode om een halfgeleiderwafeltje te produceren door vooroppervlakte van het halfgeleiderwafeltje op te poetsen die aan zijn achteroppervlakte wordt gehouden, die een op te poetsen halfgeleiderwafeltje hebbend golvingscomponenten op wafeltje gebruikt steunt oppervlakte van mu.m.sup.3 10 of minder vertegenwoordigd in termen van de dichtheid van het machtsspectrum op zijn minst voor de componenten bij een golflengte van 10 mm; en wafeltjeklem die van een holdingsoppervlakte voor het houden van een wafeltje door te gooien wordt voorzien, waarin de holdingsoppervlakte golvingscomponenten van mu.m.sup.3 10 of minder vertegenwoordigd in termen van de dichtheid van het machtsspectrum op zijn minst voor de componenten bij een golflengte van 10 mm heeft. Volgens de onderhavige uitvinding, kunnen de golvingscomponenten van halfgeleiderwafeltjes kwantitatief worden geƫvalueerd, en daardoor kan daar een halfgeleiderwafeltje vrij van de componenten van de oppervlaktegolving, een methode om een dergelijk halfgeleiderwafeltje daarvoor te produceren, en een wafeltjeklem worden verstrekt. Dergelijke golvingscomponenten kunnen problemen op lithografie, apparatenscheiding en dergelijke in de apparaat-verwerkende stappen veroorzaken.