Disclosed is a low threshold asymmetric MOS device having a pocket region with a graded concentration profile. The pocket region includes a relatively high dopant atom concentration (of the same conductivity type as the bulk region) abutting either the device's source or its drain along the side of the source or drain that faces the device's channel region. The pocket region's graded concentration profile provides a lower dopant concentration near the substrate surface and an increasing dopant concentration below that surface. This provides a relatively low resistance conduction path through the pocket region, while allowing the device's threshold voltage to be somewhat higher at the pocket region. The asymmetric device can also include a counter dopant region located beneath its substrate surface. This forces current to flow in the substrate but just above the region of high counter dopant concentration, where the resistance is relatively low.

Révélé est un dispositif asymétrique de MOS de bas seuil ayant une région de poche avec un profil évalué de concentration. La région de poche inclut une concentration relativement élevée en atome de dopant (du même type de conductivité que la région en bloc) aboutant son drain le long du côté de la source ou drain du dispositif la source ou qui fait face à la région du canal du dispositif. Le profil évalué de la concentration de la région de poche fournit une concentration de dopant inférieure près de la surface de substrat et une concentration de dopant croissante au-dessous de cette surface. Ceci fournit un chemin relativement bas de conduction de résistance par la région de poche, tout en permettant à la tension du seuil du dispositif d'être légèrement plus haute à la région de poche. Le dispositif asymétrique peut également inclure une contre- région de dopant située sous sa surface de substrat. Ceci force le courant pour couler dans le substrat mais juste au-dessus de la région de la contre- concentration de dopant élevée, où la résistance est relativement basse.