A method for controlling the implantation of ions into a target. An ion source chamber having a filament for causing evolution of the ions to be implanted is provided. An ion source reactant gas is provided for providing a source of the ion species to be implanted. A counteracting gas is provided to counter the chemical transport from or to the filament depending on the reaction between the ion source gas ions and the filament and to compensate for the reaction. The ion source reactant is introduced into the ion source chamber. Parameters regarding electrical or physical characteristics of the filament are measured. The counteracting gas is introduced based upon the measured parameters, wherein the counteracting gas forms ions to compensate for removal or deposition of material on the filament. The ions to be implanted are extracted from ion source chamber and directed to the target.

Un metodo per il controllo dell'impianto degli ioni in un obiettivo. Un alloggiamento di fonte dello ione che ha un filamento per indurre lo sviluppo degli ioni ad essere impiantato è fornito. Un gas del reattivo di fonte dello ione è fornito per fornire una fonte della specie dello ione da impiantare. Un gas d'opposizione è fornito per ricambiare il trasporto chimico da o al filamento secondo la reazione fra gli ioni del gas di fonte dello ione ed il filamento e per compensare la reazione. Il reattivo di fonte dello ione è introdotto nell'alloggiamento di fonte dello ione. I parametri per quanto riguarda le caratteristiche elettriche o fisiche del filamento sono misurati. Il gas d'opposizione è introdotto ha basato sui parametri misurati, in cui il gas d'opposizione forma gli ioni per compensare la rimozione o il deposito di materiale sul filamento. Gli ioni da impiantare sono estratti dall'alloggiamento di fonte dello ione e sono diretti verso l'obiettivo.