There is disclosed a semiconductor device having an MOS gate for reducing variations in threshold voltage (V.sub.th) with time wherein a surface protective film is not formed in a device area including channels but only in a device peripheral area, thereby reducing the amount of hydrogen atoms migrating to a silicon-silicon oxide interface in a cell area and, accordingly, reducing the number of Si--H chemical bonds at the interface.

É divulgado um dispositivo de semicondutor que tem uma porta do MOS para reduzir variações na tensão do ponto inicial (V.sub.th) com tempo wherein uma película protetora de superfície não é dada forma em uma área do dispositivo including as canaletas mas somente em uma área periférica do dispositivo, reduzindo desse modo a quantidade de átomos do hidrogênio que migram a uma relação do óxido do silicone-silicone em uma área da pilha e, conformemente, reduzindo o número do silicone -- ligações químicas de H na relação.