A structure for chemical vapor deposition processing includes a substrate carrier (10) having a streamlined shape. When placed in a mainstream flow (21), the substrate carrier (10) maintains a laminar boundary layer over a substrate (17) under high gas flow rate conditions. In a further embodiment, the substrate carrier (10) includes a device (27) for directly injecting a reactant gas stream (33) into the boundary layer.

Una struttura per l'elaborazione di deposito di vapore chimico include un elemento portante del substrato (10) che ha una figura streamlined. Una volta disposto in un flusso tradizionale (21), l'elemento portante del substrato (10) effettua uno strato di contorno laminare sopra un substrato (17) nelle alte circostanze di portata del gas. In un incorporamento ulteriore, l'elemento portante del substrato (10) include un dispositivo (27) per direttamente l'iniezione del flusso del gas del reattivo (33) nello strato di contorno.