A method for forming a gap-filled, planarization structure of dielectric materials on a substrate topography useful for forming microelectronic devices. A dielectric material is first deposited as continuous, dry dielectric layer, preferably a SOG layer. Then the dielectric layer is partially removed by chemical-mechanical polishing (CMP). The chemical and mechanical properties of the structure can be chosen by varying the composition of the SOG layer and the subsequent CMP conditions.

Une méthode pour former espace-rempli, structure de planarization des matériaux diélectriques sur une topographie de substrat utile pour former les dispositifs microélectroniques. Un matériel diélectrique est d'abord déposé en tant que couche diélectrique continue et sèche, de préférence une couche de SOG. Alors la couche diélectrique est partiellement enlevée par le polissage produit-mécanique (CMP). Les propriétés chimiques et mécaniques de la structure peuvent être choisies en changeant la composition de la couche de SOG et des conditions suivants de CMP.