Lithographic Proximity Correction (LPC) shapes are added (503) to a layer of a layout database file (501). Geometric criteria such as feature width are then used to filter the added LPC shapes (502). The LPC shapes are then modified (505) by determining which LPC shapes are within a predetermined distance from a shape in a layer of the second data base (504). The database file, including the modified LPC shapes, is then used to manufacture a set of lithographic masks (506). The lithographic masks are then used to pattern a set of wafers in the manufacture of integrated circuits (507).

De lithografische vormen van de Correctie van de Nabijheid (LPC) worden toegevoegd (503) aan een laag van een dossier van het lay-outgegevensbestand (501). De geometrische criteria zoals eigenschapbreedte worden dan gebruikt om de toegevoegde LPC vormen (502) te filtreren. De LPC vormen worden dan gewijzigd (505) door te bepalen welke LPC vormen binnen een vooraf bepaalde afstand van een vorm in een laag van het tweede gegevensbestand zijn (504). Het gegevensbestanddossier, met inbegrip van de gewijzigde LPC vormen, wordt dan gebruikt om een reeks lithografische maskers (506) te vervaardigen. De lithografische maskers worden dan gebruikt om een reeks wafeltjes in de vervaardiging van geïntegreerde schakelingen (507) te vormen.