The present invention advantageously provides a method for conditioning a polishing pad used for chemical mechanical polishing of a semiconductor wafer surface. The method involves directing a fluid at a relatively high pressure toward the surface of the pad, thereby roughening the surface of the pad and removing particles embedded in pores of the pad. This process provides for uniform conditioning across the surface of the pad and excludes the use of particles which might become disposed on the pad, unlike some other conventional conditioning methods. The exclusion of abrasive particles prevents scratching of wafers which may subsequently undergo CMP using the polishing pad. The conditioning fluid hereof may, among other things, be a typical CMP slurry or variation thereof, or may be deionized water.

Η παρούσα εφεύρεση παρέχει ευνοϊκά μια μέθοδο για ένα γυαλίζοντας μαξιλάρι χρησιμοποιούμενο για τη χημική μηχανική στίλβωση μιας επιφάνειας γκοφρετών ημιαγωγών. Η μέθοδος περιλαμβάνει την κατεύθυνση ενός ρευστού σε μια σχετικά υψηλή πίεση προς την επιφάνεια του μαξιλαριού, με αυτόν τον τρόπο την τραχύτητα της επιφάνειας του μαξιλαριού και την αφαίρεση των μορίων που ενσωματώνονται στους πόρους του μαξιλαριού. Αυτή η διαδικασία προβλέπει την ομοιόμορφη βελτίωση πέρα από την επιφάνεια του μαξιλαριού και αποκλείει τη χρήση των μορίων που να γίνει διατεθειμένη στο μαξιλάρι, αντίθετα από μερικές άλλες συμβατικές ρυθμίζοντας μεθόδους. Ο αποκλεισμός των λειαντικών μορίων αποτρέπει το γρατσούνισμα των γκοφρετών που μπορούν στη συνέχεια να υποβληθούν σε CMP χρησιμοποιώντας το γυαλίζοντας μαξιλάρι. Ρευστός ο του παρόντος βελτίωσης μπορεί, μεταξύ άλλων, να είναι ένας χαρακτηριστική πηλός CMP ή μια παραλλαγή επ' αυτού, ή μπορεί να είναι εξιοντισμένο ύδωρ.