A substrate (2) is rotatably installed in a vacuum chamber (1) at an upper part thereof MgF.sub.2 granules (3) as a film source material are placed in a quartz boat (4) and mounted on a magnetron cathode (5). The magnetron cathode (5) is connected through a matching box (6) to a 13.56 MHz radio frequency power source (7). Cooling water (8) for holding the temperature of the magnetron cathode (5) constant flows against a lower face of the magnetron cathode (5). A side wall of the vacuum chamber (1) is provided with gas introduction ports (9), (10) for introducing gas in the vacuum chamber (1). A shutter (11) is placed between the magnetron cathode (5) and the substrate (2). This structure provides a process enabling forming a thin film at a high speed by sputtering, especially a high speed sputtering process enabling forming a thin fluoride film free of light absorption.

Uma carcaça (2) está instalada rotatably em uma câmara do vácuo (1) nos granules da parte superior disso um MgF.sub.2 (3) enquanto um material de fonte da película é colocado em um barco de quartzo (4) e montado em um cátodo do magnétron (5). O cátodo do magnétron (5) é conectado através de uma caixa combinando (6) a uma fonte de poder (7) de uma freqüência de rádio de 13.56 megahertz. A água refrigerando (8) para prender a temperatura da constante do cátodo do magnétron (5) flui de encontro a uma cara mais baixa do cátodo do magnétron (5). Uma parede lateral da câmara do vácuo (1) é fornecida com os portos da introdução do gás (9), (10) introduzindo o gás na câmara do vácuo (1). Um obturador (11) é colocado entre o cátodo do magnétron (5) e a carcaça (2). Esta estrutura fornece um processo permitindo dando forma a uma película fina em uma alta velocidade sputtering, especial um processo de alta velocidade sputtering permitindo dando forma a uma película fina do fluoreto livre do absorption claro.