This invention relates to a flexible membrane polishing belt against which a substrate, for example a semiconductor wafer, is polished using chemical mechanical polishing principles. A fluidized layer is provided on a surface of a polishing member backing assembly which urges the moving polishing membrane toward the substrate held in a polishing head to be polished. The linear motion of the belt provides uniform polishing across the full width of the belt and provides the opportunity for a chemical mechanical polishing to take place. Several configurations are disclosed. They include belts which are wider than the substrate being polished, belts which cross the substrate being polished, but which provide relative motion between the substrate and the polishing belt, and polishing belt carriers having localized polishing areas which are smaller than the total area of the substrate to be polished. Only a small area on the surface of the substrate is in contact with polishing membrane but the motion of the carrier with respect to the substrate is programmed to provide uniform polishing of the full substrate surface, as is each configuration described.

Этот вымысел относит к поясу гибкой мембраны полируя против отполирован субстрат, например вафля полупроводника, использующ химически механически полируя принципы. Флюидизированный слой обеспечен на поверхности полируя агрегата затыловки члена принуждает двигая полируя мембрану к субстрату, котор держат в полируя головке, котор нужно отполировать. Линейное движение пояса обеспечивает форму полируя через полное ширина пояса береговых вод и обеспечивает возможность для химически механически полировать, котор нужно осуществить. Несколько конфигураций показаны. Они вклюают поясы широке чем будучи отполированными субстрат, поясы которые пересекают будучи отполированными субстрат, но который обеспечивают относительное движение между субстратом и полируя поясом, и полируя несущие пояса локализуя полируя области которые более малы чем вся площадь субстрата, котор нужно отполировать. Только малая зона на поверхности субстрата in contact with полируя мембрана но движение несущей по отношению к субстрату запрограммировано для того чтобы обеспечить равномерный полировать полной поверхности субстрата, как каждая описанная конфигурация.