Provided is a method and composition for protecting alignment mark trench walls from attack by CMP slurry accumulating in an alignment mark trench during CMP processing. In a preferred embodiment, a metal organic chemical vapor deposition titanium nitride (MOCVDTiN) layer is deposited over a conventionally applied bulk tungsten layer prior to commencing CMP operations. This MOCVDTiN layer is resistant to CMP slurry attack. As a result, the tungsten trench profile remains a consistent and reliable alignment mark.

При условии метод и состав для защищая стен шанца метки выравнивания от нападения slurry CMP аккумулируя в шанце метки выравнивания во время обрабатывать cmp. В предпочитаемом воплощении, слой нитрида низложения химически пара металла органический titanium (MOCVDTiN) депозирован над обычно applied навальным слоем вольфрама перед начинать деятельности cmp. Этот слой MOCVDTiN упорн к нападению slurry cmp. В результате, профиль шанца вольфрама остает последовательной и надежной меткой выравнивания.