A method of commonizing the pattern density of topography for different layers of semiconductor wafers to improve the Chemical Mechanical Polishing process used during wafer processing is disclosed. In order to achieve a predetermined pattern density of topography on the surface of a wafer, dummy raised lines are inserted as necessary into gaps between active conductive traces on a trace layer. In some embodiments, the predetermined pattern density is in the range of approximately 40% to 80%. In some applications, both the active conductive traces and the dummy raised lines are formed from a metallic material that is deposited in one single step with an insulating layer deposited over both the active conductive traces and the dummy raised lines prior to the Chemical Mechanical Polishing process. In other applications, the dummy raised lines are formed from the insulating layer.

Une méthode de commonizing la densité de modèle de la topographie pour différentes couches de gaufrettes de semi-conducteur pour améliorer le processus de polissage mécanique chimique utilisé pendant le traitement de gaufrette est révélée. Afin de réaliser une densité prédéterminée de modèle de la topographie sur la surface d'une gaufrette, des lignes augmentées factices sont insérées selon les besoins dans des espaces vides entre les traces conductrices actives sur une couche de trace. Dans quelques incorporations, la densité prédéterminée de modèle est dans la gamme approximativement de 40% à 80%. Dans quelques applications, les traces conductrices actives et les lignes augmentées factices sont formées d'un matériel métallique qui est déposé dans un pas à pas avec un excédent déposé de couche de isolation les traces conductrices actives et les lignes augmentées factices avant le processus de polissage mécanique chimique. Dans d'autres applications, les lignes augmentées factices sont formées de la couche de isolation.