Borderless vias are filled by initially depositing a thin, conformal layer of titanium nitride by chemical vapor deposition to cover an undercut, etched side surface of a lower metal feature. A metal, such as tungsten, is subsequently deposited to fill the borderless via. Embodiments include thermal decomposition of an organic-titanium compound, such as tetrakis-dimethylamino titanium, and treating the deposited titanium nitride in an H.sub.2 /N.sub.2 plasma to lower its resistivity.

Vias zonder grenzen worden gevuld door een dunne, conforme laag van titaniumnitride door chemische dampdeposito aanvankelijk te deponeren om een kapsnede, geëtste te behandelen zijoppervlakte van een lagere metaaleigenschap. Een metaal, zoals wolfram, wordt later gedeponeerd om zonder grenzen via te vullen. De belichamingen omvatten thermische decompositie van een organisch-titaniumsamenstelling, zoals tetrakis-dimethylamino titanium, en het behandelen van het gedeponeerde titaniumnitride in een plasma H.sub.2/N.sub.2 om zijn weerstandsvermogen te verminderen.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Rate nephelometer

> Combined in-situ high density plasma enhanced chemical vapor deposition (HDPCVD) and chemical mechanical polishing (CMP) process to form an intermetal dielectric layer with a stopper layer embedded therein

> (none)

~ 00002