Gaseous material is provided within a reactor having a substrate positioned therein, with the gaseous material comprising at least titanium and boron. The gaseous material is provided at conditions effective to chemical vapor deposit titanium boride on the substrate. In one implementation, the gaseous material is derived from at least two gases, with a first of such gases comprising titanium and a second of such gases comprising boron. Such can be utilized to form a reaction or diffusion barrier layer over a substrate relative to a contact opening. The invention also comprises integrated circuitry. In one implementation, a contact opening is formed into an insulating dielectric material over a substrate. An electrically conductive plugging material predominately comprising titanium boride substantially fills the contact opening. In another implementation, an electrically conductive electrode comprises a layer of titanium boride in contact with a layer of a refractory metal silicide. In still another implementation, integrated circuitry includes a contact electrode in ohmic electrical connection with a semiconductor substrate, where the contact electrode comprises a metal over the semiconductor substrate and a layer of titanium boride interposed between the metal and the semiconductor substrate.

Το αεριώδες υλικό παρέχεται μέσα σε έναν αντιδραστήρα που έχει ένα υπόστρωμα τοποθετημένο εκεί μέσα, το αεριώδες υλικό περιλαμβάνοντας τουλάχιστον το τιτάνιο και το βόριο. Το αεριώδες υλικό παρέχεται στους όρους αποτελεσματικούς στο χημικό βορίδιο τιτανίου κατάθεσης ατμού στο υπόστρωμα. Σε μια εφαρμογή, το αεριώδες υλικό προέρχεται από τουλάχιστον δύο αέρια, με ένα πρώτο τέτοιων αερίων περιλαμβάνοντας το τιτάνιο και ένα δευτερόλεπτο τέτοιων αερίων περιλαμβάνοντας το βόριο. Τέτοιοι μπορούν να χρησιμοποιηθούν για να διαμορφώσουν ένα στρώμα εμποδίων αντίδρασης ή διάχυσης πέρα από ένα υπόστρωμα σχετικά με ένα άνοιγμα επαφών. Η εφεύρεση περιλαμβάνει επίσης τα ενσωματωμένα στοιχεία κυκλώματος. Σε μια εφαρμογή, ένα άνοιγμα επαφών διαμορφώνεται σε ένα μονώνοντας διηλεκτρικό υλικό πέρα από ένα υπόστρωμα. Ένα ηλεκτρικά αγώγιμο συνδέοντας υλικό που περιλαμβάνει κυρίως το βορίδιο τιτανίου γεμίζει ουσιαστικά το άνοιγμα επαφών. Σε μια άλλη εφαρμογή, ένα ηλεκτρικά αγώγιμο ηλεκτρόδιο περιλαμβάνει ένα στρώμα του βοριδίου τιτανίου σε επαφή με ένα στρώμα μιας πυρίμαχης μεταλλικής ένωσης πυριτίου μετάλλων. Ακόμα σε μια άλλη εφαρμογή, τα ενσωματωμένα στοιχεία κυκλώματος περιλαμβάνουν ένα ηλεκτρόδιο επαφών στην ωμική ηλεκτρική σύνδεση με ένα υπόστρωμα ημιαγωγών, όπου το ηλεκτρόδιο επαφών περιλαμβάνει ένα μέταλλο πέρα από το υπόστρωμα ημιαγωγών και ένα στρώμα του βοριδίου τιτανίου που παρεμβάλλεται μεταξύ του μετάλλου και του υποστρώματος ημιαγωγών.