The invention provides a method for depositing a metal film on a substrate, comprising generating a high density plasma in a chamber, sputtering metal particles from a target to the substrate, and applying a modulated radio frequency (RF) bias to the substrate during deposition. Another aspect of the invention provides an apparatus for depositing a metal film on a substrate comprising a high density plasma physical vapor deposition (HDP PVD) chamber and a controller to modulate a RF bias power applied to a substrate in the chamber.

L'invention fournit une méthode pour déposer un film en métal sur un substrat, comportant produisant d'un plasma à haute densité dans une chambre, pulvérisant des particules en métal d'une cible au substrat, et s'appliquant une polarisation modulée de la fréquence par radio (rf) au substrat pendant le dépôt. Un autre aspect de l'invention fournit un appareil pour déposer un film en métal sur un substrat comportant une chambre physique du dépôt de vapeur de plasma à haute densité (HDP PVD) et un contrôleur pour moduler polarisé rf mis sous tension à un substrat dans la chambre.