Herein disclosed is a semiconductor integrated circuit device fabricating
process for forming MISFETs over the principal surface in active regions
of a substrate, which are surrounded by inactive regions formed of an
element separating insulating film and channel stopper regions. The
disclosed process includes forming insulating films over wiring lines
including uppermost wiring lines, the uppermost wiring lines having gaps
between adjacent uppermost wiring lines. The insulating films include
forming a silicon oxide film over the wiring lines and in the gaps between
adjacent uppermost wiring lines, and forming a silicon nitride film over
the silicon oxide film, the silicon nitride film being formed by plasma
chemical vapor deposition. The silicon oxide film is formed to have a
thickness of at least one-half of the gap between adjacent uppermost
wiring lines, with the silicon nitride film being thicker than the silicon
oxide film.
Qui è rilevato un processo fabbricare del dispositivo del circuito integrato a semiconduttore per formare MISFETs sopra la superficie principale nelle regioni attive di un substrato, che sono circondate dalle regioni inattive formate di un elemento che separa le regioni isolanti del tappo di scanalatura e della pellicola. Il processo rilevato include formare le pellicole isolanti sopra le linee dei collegamenti compreso le linee dei collegamenti più elevate, le linee dei collegamenti più elevate che hanno lacune fra le linee adiacenti dei collegamenti più elevate. Le pellicole isolanti includono formare una pellicola dell'ossido del silicone sopra le linee dei collegamenti e nelle lacune fra le linee adiacenti dei collegamenti più elevate e formare una pellicola del nitruro di silicio sopra la pellicola dell'ossido del silicone, la pellicola del nitruro di silicio che è costituita dal deposito di vapore chimico del plasma. La pellicola dell'ossido del silicone è formata per avere uno spessore almeno di a metà dello spacco fra le linee adiacenti dei collegamenti più elevate, con la pellicola del nitruro di silicio che è più spessa della pellicola dell'ossido del silicone.
