A structure and method to further reduce the dielectric constant (capacitance) of high density plasma chemical vapor deposited silicon dioxide (SiO2 12). The dielectric constant of voids (i.e. air pockets) is close to k=1.0, and therefore the microvoids reduce the effective dielectric constant of the silicon dioxide 12. Use of HDPCVD conditions avoids residual hydrogen, which would degrade the dielectric constant.

Een structuur en een methode de diëlektrische constante (capacitieve weerstand) van high-density plasma chemische damp verder om te verminderen deponeerden siliciumdioxyde (SiO2 12). De diëlektrische constante van leegten (d.w.z. luchtzakken) is dicht bij k=1.0, en daarom verminderen microvoids de efficiënte diëlektrische constante van siliciumdioxyde 12, Gebruik van voorwaarden HDPCVD overblijvende waterstof vermijden, die de diëlektrische constante zou degraderen.