A chemical vapor deposition (CVD) method for forming with enhanced sheet resistance uniformity tungsten silicide layers upon substrates. There is formed upon a first substrate within a chemical vapor deposition (CVD) reactor chamber a first tungsten silicide layer through a chemical vapor deposition (CVD) method. The first substrate is then removed from the chemical vapor deposition (CVD) reactor chamber. The chemical vapor deposition (CVD) reactor chamber is then cleaned with a fluorine containing plasma and subsequently purged with a mixture of silane and an inert gas. There may then be formed with enhanced sheet resistance uniformity upon a second substrate within the chemical vapor deposition (CVD) reactor chamber a second tungsten silicide layer through the chemical vapor deposition (CVD) method.

Eine Methode der Absetzung des chemischen Dampfes (CVD) für die Formung mit erhöhtem Flächenwiderstand-Gleichförmigkeit Wolframsilicide überlagert nach Substraten. Wird nach einem ersten Substrat innerhalb eines Reaktorraumes der Absetzung des chemischen Dampfes (CVD) ein erste Wolframsilicideschicht durch eine Methode der Absetzung des chemischen Dampfes (CVD) gebildet. Das erste Substrat wird dann vom Reaktorraum der Absetzung des chemischen Dampfes (CVD) entfernt. Der Reaktorraum der Absetzung des chemischen Dampfes (CVD) wird dann mit einem Fluor gesäubert, das Plasma enthält und bereinigt nachher mit einer Mischung des Siliziumwasserstoffs und des Edelgases. Dort können mit erhöhter Flächenwiderstandgleichförmigkeit nach einem zweiten Substrat innerhalb des Reaktorraumes der Absetzung des chemischen Dampfes (CVD) ein zweite Wolframsilicideschicht durch die Methode der Absetzung des chemischen Dampfes dann gebildet werden (CVD).