A pressure sensing structure for measuring a local pressure on a surface of a wafer and a wafer carrier for communicating with the wafer is disclosed. The pressure sensing structure includes a conductive via extending through the wafer, a pressure transducer electrically connected to a first side of the conductive via, and a connector arranged in electrical contact with a second side of the conductive via. Further, a wafer incorporating multiple such pressure sensing structures is disclosed. In addition, a pressure sensing structure further including integrated circuitry in electrical contact with the pressure transducer and a conductive via is disclosed. The pressure sensing structure is well suited for use in sensing pressure variations throughout the surface of the wafer when a selected wafer layer is undergoing a chemical mechanical polishing operation.

Ein Druck, der Struktur für das Messen eines lokalen Drucks auf einer Oberfläche einer Oblate und einer Oblatefördermaschine für das Verständigen mit der Oblate abfragt, wird freigegeben. Der Druck, der Struktur abfragt, schließt ein leitendes über das Verlängern durch die Oblate, ein Druckgeber mit ein, der elektrisch an eine erste Seite vom leitenden über und von einem Stecker geordnet wird im elektrischen Kontakt mit einer zweiten Seite vom leitenden über angeschlossen wird. Weiter wird eine verbindene Mehrfachverbindungsstelle der Oblate solcher Druck, der Strukturen abfragt, freigegeben. Zusätzlich wird ein Druck, der weiter Struktur einschließlich integrierten Schaltkreis im elektrischen Kontakt mit dem Druckgeber und in einem leitendem über abfragt, freigegeben. Der Druck, der Struktur abfragt, wird gut für Gebrauch entsprochen, wenn man Druckschwankungen während der Oberfläche der Oblate abfragt, wenn eine vorgewählte Oblateschicht einen chemischen mechanischen Polierbetrieb durchmacht.