The non-uniformity of electroplating on wafers is due to the appreciable resistance of the thin seed layer and edge effects. Mathematical analysis of the current distribution during wafer electroplating reveals that the ratio between the resistance of the thin deposited seed layer and the resistance of the electrolyte and the electrochemical reaction determines the uniformity of the electroplated layer. Uniform plating is critical-in-wafer metallization for the subsequent step of chemical mechanical polishing of the wafer. Based on the analysis, methods to improve the uniformity of metal electroplating over the entire wafer include increasing the resistance of the electrolyte, increasing the distance between the wafer and the anode, increasing the thickness of the seed layer, increasing the ionic resistance of a porous separator placed between the wafer and the anode, placement of a rotating distributor in front of the wafer, and establishing contacts at the center of the wafer. The rotating distributor generates multiple jets hitting the surface of the wafer, thus ensuring conformal electroplating. The jets can be either submerged in the electrolyte or above the level of the electrolyte. The shape and uniformity of the electroplated layer can be also determined by the shape and relative size of the counter-electrode (anode), by masking the edge of the wafer and by periodically reversing the plating current. The problem of uniformity is more severe as the diameter of the wafer becomes larger.

Η μη-ομοιομορφία της ηλεκτρολυτικής επιμετάλλωσης στις γκοφρέτες οφείλεται στην αξιόλογη αντίσταση των λεπτών αποτελεσμάτων στρώματος και ακρών σπόρου. Η μαθηματική ανάλυση της τρέχουσας διανομής κατά τη διάρκεια της ηλεκτρολυτικής επιμετάλλωσης γκοφρετών αποκαλύπτει ότι η αναλογία μεταξύ της αντίστασης του λεπτού κατατεθειμένου στρώματος σπόρου και της αντίστασης του ηλεκτρολύτη και της ηλεκτροχημικής αντίδρασης καθορίζει την ομοιομορφία του ηλεκτρολυτικού στρώματος. Η ομοιόμορφη επένδυση είναι επιμετάλλωση κρίσιμος-$$$-ΓΚΟΦΡΕΤΏΝ για το επόμενο βήμα της χημικής μηχανικής στίλβωσης της γκοφρέτας. Με βάση την ανάλυση, οι μέθοδοι για να βελτιώσουν την ομοιομορφία της ηλεκτρολυτικής επιμετάλλωσης μετάλλων πέρα από την ολόκληρη γκοφρέτα περιλαμβάνουν την αύξηση της αντίστασης του ηλεκτρολύτη, που αυξάνει την απόσταση μεταξύ της γκοφρέτας και την άνοδο, που αυξάνει το πάχος του στρώματος σπόρου, που αυξάνει την ιοντική αντίσταση ενός πορώδους διαχωριστή που τοποθετείται μεταξύ της γκοφρέτας και της ανόδου, τοποθέτηση ενός περιστρεφόμενου διανομέα μπροστά από την γκοφρέτα, και που καθιερώνει τις επαφές στο κέντρο της γκοφρέτας. Ο περιστρεφόμενος διανομέας παράγει τα πολλαπλάσια αεριωθούμενα αεροπλάνα που χτυπούν την επιφάνεια της γκοφρέτας, εξασφαλίζοντας κατά συνέπεια σύμμορφη ηλεκτρολυτική επιμετάλλωση. Τα αεριωθούμενα αεροπλάνα μπορούν είτε να καταδυθούν στον ηλεκτρολύτη είτε επάνω από το επίπεδο του ηλεκτρολύτη. Η μορφή και η ομοιομορφία του ηλεκτρολυτικού στρώματος μπορούν να καθοριστούν επίσης από τη μορφή και το σχετικό μέγεθος counter-electrode (άνοδος), με την κάλυψη της άκρης της γκοφρέτας και με περιοδικά να αντιστρέψουν το ρεύμα επένδυσης. Το πρόβλημα της ομοιομορφίας είναι σοβαρότερο καθώς η διάμετρος της γκοφρέτας γίνεται μεγαλύτερη.