A method is provided of cleaning device surfaces for the metallization thereof by treating the surfaces in a chamber equipped for ionized physical vapor deposition or other plasma-based metal deposition process. The surfaces are plasma etched, preferably in a chamber in which the next metal layer is to be deposited onto the surfaces. Also or in the alternative, the surfaces are plasma etched with a plasma containing ions of the metal to be deposited. Preferably also, the etching process is followed by depositing a film of the metal, preferably by ionized physical vapor deposition, in the chamber. The metal may, for example, be titanium that is sputtered from a target within the chamber. The process of depositing the metal, where the metal is titanium, may, for example, be followed by the deposition of a titanium nitride layer. The process steps may be used to passivate the surfaces for transfer of the substrate containing the device surfaces through an oxygen or water vapor containing atmosphere or through another atmosphere containing potential contaminants such as through the transfer chamber of a cluster tool to which are connected CVD or other chemical processing modules. In the preferred embodiment, etching is achieved by maintaining a high ion fraction and high bombardment energy, for example, by applying a high negative bias to the substrate, operating the plasma in a net etching mode, then, by lowering the bombardment energy, for example by lowering the bias voltage, or by lowering the ion fraction, such as by increasing sputtering power, or decreasing plasma power, chamber pressure, a net deposition of the metal by IPVD is brought about.

Un metodo è fornito delle superfici del dispositivo di pulizia per la metalizzazione di ciò trattando le superfici in un alloggiamento dotato per il deposito fisico ionizzato o altro del vapore processo plasma-basato di deposito del metallo. Le superfici sono plasma inciso, preferibilmente in un alloggiamento in cui lo strato seguente del metallo deve essere depositato sulle superfici. Inoltre o nell'alternativa, le superfici sono plasma inciso con un plasma che contiene gli ioni del metallo da depositare. Preferibilmente anche, il processo acquaforte è seguito depositando una pellicola del metallo, preferibilmente tramite il deposito fisico ionizzato del vapore, nell'alloggiamento. Il metallo può, per esempio, essere di titanio che è polverizzato da un obiettivo all'interno dell'alloggiamento. Il processo di depositare il metallo, dove il metallo è di titanio, può, per esempio, essere seguito dal deposito di uno strato di titanio del nitruro. I punti trattati possono essere usati per passivare le superfici per il trasferimento del substrato che contiene le superfici del dispositivo attraverso un ossigeno o un vapore acqueo che contiene l'atmosfera o attraverso un altro atmosfera che contiene gli agenti inquinanti potenziali quale attraverso la capsula di trasferimento di un attrezzo della serie di ingranaggi a cui è il CVD collegato o altri moduli di elaborazione chimica. Nel metodo di realizzazione preferito, incidere è realizzato effettuando un'alta frazione dello ione e un'alta energia di bombardamento, per esempio, applicando un'alta polarizzazione negativa al substrato, operante il plasma in un modo netto acquaforte, allora, abbassando l'energia di bombardamento, per esempio abbassando la tensione di polarizzazione, o abbassando la frazione dello ione, come aumentando l'alimentazione di polverizzazione, o fare diminuire l'alimentazione del plasma, pressione dell'alloggiamento, un deposito netto del metallo da IPVD è determinato.