An insulating layer is formed on a semiconductor wafer. A titanium layer (Ti) is formed on the insulating layer. A titanium nitride (TiN) layer is formed on the Ti layer to act as a barrier layer. A tungsten (W) layer is deposited by using chemical vapor deposition. The tungsten layer is etched back to form a tungsten plug. While the wafer is still in the etching chamber, an in situ plans sputtering is performed to remove any fluorine contamination.

Eine Isolierschicht wird auf einem Halbleiterplättchen gebildet. Eine Titanschicht (Ti) wird auf der Isolierschicht gebildet. Eine TitanSchicht des nitrids (Zinn) wird auf der Tischicht gebildet, um als eine Grenzschicht zu dienen. Eine Schicht des Wolfram (W) wird niedergelegt, indem man Absetzung des chemischen Dampfes verwendet. Die Wolframschicht wird zurück zu Form ein Wolframstecker geätzt. Während die Oblate noch im Radierung Raum ist, spritzenden wird die in-situpläne durchgeführt, um jede mögliche Fluorverschmutzung zu entfernen.