The present invention is a method and apparatus for systematically applying proximity corrections to a mask pattern, wherein the pattern is divided into a grid of equally sized grid rectangles, an inner rectangle comprising a plurality of grid rectangles is formed, an outer rectangle comprising a second plurality of grid rectangles and the inner rectangle is formed and proximity correction is applied to the pattern contained within the inner rectangle as a function of the pattern contained within the outer rectangle.

De onderhavige uitvinding is een methode en het apparaat om nabijheidscorrecties op een maskerpatroon systematisch toe te passen, waarin het patroon in een net van even met maat netrechthoeken verdeeld is, wordt een binnenrechthoek die uit een meerderheid van netrechthoeken bestaat gevormd, worden een buitenrechthoek uit een tweede meerderheid van netrechthoeken bestaan en de binnenrechthoek die gevormd en de nabijheidscorrectie wordt toegepast op het patroon bevat binnen de binnenrechthoek als functie van het patroon bevat binnen de buitenrechthoek.