Capacitors and methods of forming capacitors are disclosed. In one
implementation, a capacitor comprises a capacitor dielectric layer
comprising Ta.sub.2 O.sub.5 formed over a first capacitor electrode. A
second capacitor electrode is formed over the Ta.sub.2 O.sub.5 capacitor
dielectric layer. Preferably, at least a portion of the second capacitor
electrode is formed over and in contact with the Ta.sub.2 O.sub.5 in an
oxygen containing environment at a temperature of at least about
175.degree. C. Chemical vapor deposition is one example forming method.
The preferred second capacitor electrode comprises a conductive metal
oxide. A more preferred second capacitor electrode comprises a conductive
silicon comprising layer, over a conductive titanium comprising layer,
over a conductive metal oxide layer. A preferred first capacitor electrode
comprises a conductively doped Si-Ge alloy. Preferably, a Si.sub.3 N.sub.4
layer is formed over the first capacitor electrode. DRAM cells and methods
of forming DRAM cells are disclosed.
Конденсаторы и методы формировать конденсаторы показаны. В одной вставке, конденсатор состоит из слоя конденсатора диэлектрического состоя из Ta.sub.2 O.sub.5 сформированного над первым электродом конденсатора. Второй электрод конденсатора сформирован над слоем диэлектрика конденсатора Ta.sub.2 O.sub.5. Предпочтительн, по крайней мере часть второго электрода конденсатора сформирована над и in contact with Ta.sub.2 O.sub.5 в кислороде содержа окружающую среду на температуре по крайней мере около 175.degree. C Низложение химически пара один пример формируя метод. Предпочитаемый второй электрод конденсатора состоит из проводной окиси металла. Более предпочитать второй электрод конденсатора состоит из проводного кремния состоя из слоя, над проводным titanium состоя из слоем, над проводным слоем окиси металла. Предпочитаемый первый электрод конденсатора состоит из проводно данного допинг сплава Кремни-si-Ge. Предпочтительн, слой Si.sub.3 N.sub.4 сформирован над первым электродом конденсатора. Показаны клетки DRAM и методы формировать клетки DRAM.
