A .DELTA.Z calculator calculates difference between an inversion layer capacitance by a classical theory and an inversion layer capacitance by a quantum theory, calculates .DELTA.Z which is a thickness of a semiconductor substrate equivalent to the difference in inversion layer capacitance. A discretization mesh generator generates a Delaunay discretization mesh for a structure of the semiconductor device to be evaluated. An electrical parameter calculator calculates electrical parameters of the semiconductor device under constraint that a charge density of channel conductivity type of the semiconductor device is set to zero at discretization mesh points of the discretization mesh on an interface between an insulating film and the semiconductor substrate and at discretization mesh points of the discretization mesh in the semiconductor substrate which are located within a distance less than the stored .DELTA.Z from the interface between the insulating film and the semiconductor substrate.

Uma calculadora do DELTA.Z calcula a diferença entre uma capacidade da camada de inversion por uma teoria classical e uma capacidade da camada de inversion por uma teoria do quantum, calcula o DELTA.Z que é uma espessura de uma carcaça do semicondutor equivalente à diferença na capacidade da camada de inversion. Um gerador do engranzamento do discretization gera um engranzamento do discretization de Delaunay para uma estrutura do dispositivo de semicondutor a ser avaliado. Uma calculadora elétrica do parâmetro calcula parâmetros elétricos do dispositivo de semicondutor sob o confinamente que uma densidade da carga do tipo do conductivity da canaleta do dispositivo de semicondutor está ajustada a zero em pontos do engranzamento do discretization do engranzamento do discretization em uma relação entre uma película isolando e a carcaça do semicondutor e nos pontos do engranzamento do discretization do engranzamento do discretization na carcaça do semicondutor que são ficados situados dentro de uma distância menos do que o DELTA.Z armazenado da relação entre a película isolando e a carcaça do semicondutor.