A memory device has first and second sets of memory cells. Each of the cells in the second set is a neighboring cell corresponding to a respective cell of the first set. A data generating function generates a first pattern and a second pattern. A controller causes the first pattern to be written in the first set of memory cells, causes each cell in the second set of memory cells to be read simultaneously while the corresponding neighboring cell in the first set of memory cells is being written to, and causes a datum to be read from each cell in the second set of memory cells after the corresponding neighboring cell in the first set of memory cells is written to. An output data evaluator determines whether the data read from the second set of memory cells match the second pattern, and detects a fault in the memory device, if the data read do not match the second pattern.

Un dispositivo de memoria tiene primero y fija en segundo lugar de las células de memoria. Cada uno de las células en el segundo sistema es una célula vecina que corresponde a una célula respectiva del primer sistema. Los datos que generan la función generan un primer patrón y un segundo patrón. Un regulador hace el primer patrón ser escrito en el primer sistema de células de memoria, hace cada célula en el segundo sistema de células de memoria ser leído simultáneamente mientras que la célula vecina correspondiente en el primer sistema de células de memoria se está escribiendo a, y de causas un dato que se leerá en cada célula en el segundo sistema de células de memoria después de que la célula vecina correspondiente en el primer sistema de células de memoria se escriba a. Un evaluador de los datos de la salida se determina si los datos leídos en el segundo sistema de células de memoria emparejan el segundo patrón, y detecta una avería en el dispositivo de memoria, si los datos leídos no emparejan el segundo patrón.