The invention generally relates to various aspects of a plasma process, and more specifically the monitoring of such plasma processes. One aspect relates in at least some manner to calibrating or initializing a plasma monitoring assembly. This type of calibration may be used to address wavelength shifts, intensity shifts, or both associated with optical emissions data obtained on a plasma process. A calibration light may be directed at a window through which optical emissions data is being obtained to determine the effect, if any, that the inner surface of the window is having on the optical emissions data being obtained therethrough, the operation of the optical emissions data gathering device, or both. Another aspect relates in at least some manner to various types of evaluations which may be undertaken of a plasma process which was run, and more typically one which is currently being run, within the processing chamber. Plasma health evaluations and process identification through optical emissions analysis are included in this aspect. Yet another aspect associated with the present invention relates in at least some manner to the endpoint of a plasma process (e.g., plasma recipe, plasma clean, conditioning wafer operation) or discrete/discernible portion thereof (e.g., a plasma step of a multiple step plasma recipe). A final aspect associated with the present invention relates to how one or more of the above-noted aspects may be implemented into a semiconductor fabrication facility, such as the distribution of wafers to a wafer production system.

A invenção relaciona-se geralmente aos vários aspectos de um processo do plasma, e mais especificamente da monitoração de tais processos do plasma. Um aspecto relaciona-se ao menos em alguma maneira a calibrar ou a inicializar um plasma que monitora o conjunto. Este tipo de calibração pode ser usado dirigir-se a deslocamentos do wavelength, a deslocamentos da intensidade, ou a ambos os associados com os dados óticos das emissões obtidos em um processo do plasma. Uma luz da calibração pode ser dirigida em uma janela através de que os dados óticos das emissões estão sendo obtidos para determinar o efeito, se exister, que a superfície interna da janela estão tendo nos dados óticos das emissões que estão sendo obtidos therethrough, a operação dos dados óticos das emissões que recolhem o dispositivo, ou ambos. Um outro aspecto relaciona-se ao menos em alguma maneira aos vários tipos de avaliações que podem ser empreendidas de um processo do plasma que seja funcionado, e de um mais tipicamente um que esteja sendo funcionado atualmente, dentro da câmara processando. As avaliações da saúde do plasma e a identificação process com a análise ótica das emissões são incluídas neste aspecto. Contudo um outro aspecto associou com a invenção atual relaciona-se ao menos em alguma maneira ao endpoint de um processo do plasma (por exemplo, receita do plasma, operação limpa, condicionando do plasma do wafer) ou da parcela de discrete/discernible disso (por exemplo, uma etapa do plasma de uma receita múltipla do plasma da etapa). Um aspecto final associado com a invenção atual relaciona-se a como um ou mais dos aspectos acima-notáveis podem ser executados em uma facilidade da fabricação do semicondutor, tal como a distribuição dos wafers a um sistema de produção do wafer.