The invention relates to resonator structures of radio communication apparatus. According to the invention, at least one resonator structure and at least one switch structure are manufactured on the same substrate during the same process. This is especially advantageous when using bridge type BAW resonators and micromechanical switches, since the same process steps which are used for creating the bridge structures, can be used to create the micromechanical switch structure. Integration of switch structures and resonators on the same substrate allows the manufacture of very compact filter and resonator structures needed for multi-system mobile communication means. According to another aspect of the invention a special property of BAW resonators is utilized, namely that BAW resonators can be integrated on substrates which are commonly used for active circuitry, such as silicon (Si) and gallium arsenide (GaAs) surfaces. According to this aspect of the invention, the switches are realized with transistor structures using, for example, MESFET transistors.

L'invention concerne des structures de résonateur des appareillages de communication par radio. Selon l'invention, au moins une structure de résonateur et au moins une structure de commutateur sont manufacturées sur le même substrat pendant le même processus. C'est particulièrement avantageux en utilisant le type résonateurs de pont de BAW et des commutateurs micromechanical, puisque les mêmes étapes de processus qui sont employées pour créer le pont structure, peuvent être utilisés pour créer la structure micromechanical de commutateur. L'intégration des structures et des résonateurs de commutateur sur le même substrat permet la fabrication des structures très compactes de filtre et de résonateur requises pour des moyens mobiles de communication de multi-system. S'accordant à un autre aspect de l'invention une propriété spéciale des résonateurs de BAW est utilisée, à savoir des résonateurs de ce BAW peuvent être intégrés sur les substrats qui sont généralement employés pour les circuits actifs, tels comme surfaces du silicium (silicium) et de l'arséniure de gallium (GaAs). Selon cet aspect de l'invention, les commutateurs sont réalisés avec des structures de transistor à l'aide, par exemple, des transistors de MESFET.