A low dielectric constant (k) material, such as methylsilsesquioxane (MSQ), used as an interlevel dielectric is expected to reduce the parasitic capacitance in integrated circuit. However, MSQ film can be easily degraded during resist ashing after the film is etched with the damascene trenches being created. The present invention discloses an innovative sidewall capping technology to solve the degradation issue. Prior to resist ashing, a high-quality, low-k oxide film is selectively deposited onto the sidewalls of MSQ trenches using selective liquid-phase deposition. Experimental results demonstrate that the capping oxide can effectively protect the sidewalls of MSQ trenches from ashing-induced degradation.

Ένα χαμηλό υλικό διηλεκτρικής σταθεράς (κ), όπως το methylsilsesquioxane (MSQ), που χρησιμοποιείται ως interlevel διηλεκτρικό αναμένεται για να μειώσει την παρασιτική ικανότητα στο ολοκληρωμένο κύκλωμα. Εντούτοις, η ταινία MSQ μπορεί να υποβιβαστεί εύκολα κατά τη διάρκεια αντιστέκεται στην αποτέφρωση αφότου χαράζεται η ταινία με τις τάφρους damascene που δημιουργούνται. Η παρούσα εφεύρεση αποκαλύπτει μια καινοτόμο sidewall τεχνολογία κάλυψης για να λύσει το ζήτημα υποβάθμισης. Πριν από αντισταθείτε στην αποτέφρωση, μια υψηλή ποιότητα, η ταινία οξειδίων χαμηλός-Κ κατατίθεται επιλεκτικά επάνω sidewalls των τάφρων MSQ χρησιμοποιώντας την εκλεκτική απόθεση υγρός-φάσης. Τα πειραματικά αποτελέσματα καταδεικνύουν ότι το οξείδιο κάλυψης μπορεί αποτελεσματικά να προστατεύσει sidewalls των τάφρων MSQ από την αποτεφρώνω-προκληθείσα υποβάθμιση.