A method is provided for planarizing a structure such as a shallow trench isolation region on a semiconductor substrate. A semiconductor substrate is provided having raised and lowered regions with substantially vertical and horizontal surfaces. The lowered regions may correspond to trench regions. Filler material such as non-conformal high density plasma oxide may be deposited over the horizontal surfaces to at least a thickness equal to a predetermined height so as to provide raised and lowered regions of the filler material. The raised regions of the filler material may then be selectively removed without removing the filler material in the lowered regions.

Um método é fornecido planarizing uma estrutura tal como uma região rasa da isolação da trincheira em uma carcaça do semicondutor. Uma carcaça do semicondutor é levantamento fornecido e regiões abaixadas com superfícies substancialmente verticais e horizontais. As regiões abaixadas podem corresponder às regiões da trincheira. O material de enchimento tal como o óxido elevado non-non-conformal do plasma da densidade pode ser depositado sobre as superfícies horizontais ao menos a uma espessura igual a uma altura predeterminada para fornecer regiões levantadas e abaixadas do material de enchimento. As regiões levantadas do material de enchimento podem então seletivamente ser removidas sem remover o material de enchimento nas regiões abaixadas.