A silicon carbide thin film is epitaxially grown by an MBE or the like method with silicon atoms 2 being maintained to be in excess of carbon atoms on a growth surface 1a of a silicon carbide crystal in a substrate 1. A silicon carbide substrate with a good crystallinity is thereby achieved at a low temperature with a good reproducibility. This crystal growth is possible at a low temperature of 1300.degree. C. or lower, and the productions of a high-concentration doped film, a selectively grown film, and a grown film of a cubic silicon carbide on a hexagonal crystal are achieved. In crystallizing a cubic silicon carbide on a hexagonal crystal, the use of an off-cut surface inclined towards a <1100> direction is effective to prevent an occurrence of twin.

Uma película fina do carbide do silicone é crescida epitaxially por um MBE ou o método semelhante com os átomos 2 do silicone que estão sendo mantidos para estar no excesso de átomos de carbono em uma superfície 1a do crescimento de um cristal do carbide do silicone em uma carcaça do carbide do silicone da carcaça 1. A com um crystallinity bom é conseguido desse modo em uma temperatura baixa com um reproducibility bom. Este crescimento de cristal é possível em uma temperatura baixa de 1300.degree. O C. ou abaixa, e as produções de uma elevado-concentração doped a película, uma película seletivamente crescida, e uma película crescida de um carbide cúbico do silicone em um cristal sextavado é conseguida. Em cristalizar um carbide cúbico do silicone em um cristal sextavado, o uso do fora-cortou inclined de superfície para um sentido é eficaz impedir uma ocorrência de twin.