Adjacent first and second transistors are integrated with a substrate. Each of the first and second transistors has a gate electrode, a source electrode, a drain electrode and a semiconductive channel formed of an organic material, the semiconductive channel electrically coupling the source electrode with the drain electrode. The source electrode of the first transistor is electrically coupled to the source electrode of the second transistor. A molecular receptor is bound directly to a surface of the semiconductive channel of the first transistor. A non-zero offset voltage, which produces equal channel currents in the semiconductive channels of the first and second transistors after a molecule has bound with the molecular receptor without a like binding event proximate to the second transistor, is sensed between the gate electrodes of the first and second transistors.

I primi e secondi transistori adiacenti sono integrati con un substrato. Ciascuno dei primi e secondi transistori ha un elettrodo di cancello, un elettrodo di fonte, un elettrodo dello scolo e una scanalatura semiconductive formati di un materiale organico, la scanalatura semiconductive che coppia elettricamente l'elettrodo di fonte con l'elettrodo dello scolo. L'elettrodo di fonte del primo transistore è accoppiato elettricamente all'elettrodo di fonte del secondo transistore. Un ricevitore molecolare è limitato direttamente ad una superficie della scanalatura semiconductive del primo transistore. Una tensione di derivazione non-zero, che produce le correnti uguali della scanalatura nelle scanalature semiconductive dei primi e secondi transistori dopo che una molecola abbia limitato con il ricevitore molecolare senza a come l'evento obbligatorio prossimo al secondo transistore, è percepita fra gli elettrodi di cancello dei primi e secondi transistori.