A method of fabricating row lines over a field emission array. The method employs only two mask steps to define row lines and pixel openings through selected regions of each of the row lines. In accordance with the method of the present invention, a layer of conductive material is disposed over a substantially planarized surface of a grid of semiconductive material. A layer of passivation material is then disposed over the layer of conductive material. In one embodiment of the method, a first mask may be employed to remove passivation material and conductive material from between adjacent rows of pixels and from substantially above each of the pixels of the field emission array. A second mask is employed to remove semiconductive material from between the adjacent rows of pixels. In another embodiment of the method, a first mask is employed to facilitate removal of passivation material, conductive material, and semiconductive material from between adjacent rows of pixels of the field emission array. A second mask is employed to facilitate the removal of passivation material and conductive material from the desired areas of pixel openings. The present invention also includes field emission arrays having a semiconductive grid and a relatively thin passivation layer exposed between adjacent row lines.

Een methode om rijlijnen over een serie van de gebiedsemissie te vervaardigen. De methode wendt slechts twee maskerstappen aan om rijlijnen en pixelopeningen door geselecteerde gebieden van elk van de rijlijnen te bepalen. Overeenkomstig de methode van de onderhavige uitvinding, wordt een laag van geleidend materiaal geschikt over a planarized wezenlijk oppervlakte van een net van semiconductive materiaal. Een laag van passiveringsmateriaal wordt dan geschikt meer dan de laag van geleidend materiaal. In één belichaming van de methode, kan een eerste masker worden aangewend om passiverings materieel en geleidend materiaal uit tussen aangrenzende rijen van pixel te verwijderen en van wezenlijk boven elk van de pixel van de serie van de gebiedsemissie. Een tweede masker is aangewend om semiconductive materiaal uit tussen de aangrenzende rijen van pixel te verwijderen. In een andere belichaming van de methode, is een eerste masker aangewend om verwijdering te vergemakkelijken van passiverings materieel, geleidend materiaal, en semiconductive materiaal van tussen aangrenzende rijen van pixel van de serie van de gebiedsemissie. Een tweede masker is aangewend om de verwijdering te vergemakkelijken van passiverings materieel en geleidend materiaal van de gewenste gebieden van pixelopeningen. De onderhavige uitvinding omvat ook de series die van de gebiedsemissie een semiconductive net en een vrij dunne passiveringslaag hebben die tussen aangrenzende rijlijnen wordt blootgesteld.