When the threshold voltage of a long-channel transistor is set during the same dopant step of a manufacturing process that sets the threshold voltage of a short-channel transistor, the threshold voltage of the long-channel transistor is increased by connecting the long-channel transistor in series with a schottky diode.

Όταν η τάση κατώτατων ορίων μιας κρυσταλλολυχνίας μακρύς-καναλιών τίθεται κατά τη διάρκεια του ίδιου βήματος υλικού πρόσμιξης μιας διαδικασίας κατασκευής που θέτει την τάση κατώτατων ορίων μιας κρυσταλλολυχνίας κοντός-καναλιών, η τάση κατώτατων ορίων της κρυσταλλολυχνίας μακρύς-καναλιών αυξάνεται με τη σύνδεση της κρυσταλλολυχνίας μακρύς-καναλιών στη σειρά με μια schottky δίοδο.