A two terminal ESD protection structure formed by an alternating arrangement of adjacent p-n-p-n-p semiconductor regions provides protection against both positive and negative ESD pulses. When an ESD pulse appears across the two terminals of the ESD protection structure, one of the inherent n-p-n-p thyristors is triggered into a snap-back mode thereby to form a low impedance path to discharge the ESD current. Some embodiments of the ESD protection structure of the present invention have an enhanced current handling capability and are formed by combining a number of standard cells. The standard cells include a corner cell, a center cell and an edge cell which are arranged adjacent each other to form an ESD protection structure which provides for current flow from across many locations therein. Some embodiments of the ESD protection structure of the present invention include a network consisting of a pair of current sources, e.g. back-to-back zener diodes, each connected in series with a resistor to control the trigger voltage of the ESD protection structure.

Een twee eindesd beschermingsstructuur die door een afwisselende regeling van aangrenzende p-n-p halfgeleidergebieden wordt gevormd biedt bescherming tegen zowel positieve als negatieve ESD impulsen. Wanneer een ESD impuls over de twee terminals van de ESD beschermingsstructuur verschijnt, wordt één van inherente thyristors n-p teweeggebracht in een onverwacht-achterwijze daardoor om een lage impedantieweg te vormen om de ESD stroom te lossen. Sommige belichamingen van de ESD beschermingsstructuur van de onderhavige uitvinding hebben een verbeterd huidig behandelend vermogen en door een aantal standaardcellen te combineren gevormd. De standaardcellen omvatten een hoekcel, een centrumcel en een randcel die geschikte aangrenzend elkaar zijn om een ESD beschermingsstructuur te vormen die huidige stroom van daarin over vele plaatsen voorziet. Sommige belichamingen van de ESD beschermingsstructuur van de onderhavige uitvinding omvatten een netwerk dat uit een paar huidige bronnen bestaat, b.v. rijtjeszenerdioden, elk verbonden in reeks aan een weerstand om het trekkervoltage van de ESD beschermingsstructuur te controleren.