A dielectric-based anti-fuse cell and cell array, that include a doped polysilicon contact plug, with a low resistance in the programmed state, a low capacitance, and a small cell area. The dielectric-based anti-fuse cell includes a first insulating layer, typically SiO.sub.2, on the surface of a semiconductor substrate. A first doped polysilicon (poly 1) layer is on the upper surface of the first insulating layer and a second insulating layer is over the poly 1 layer. A doped polysilicon contact plug extends through the second insulating layer and into the poly 1 layer. A dielectric layer, typically either an ONO or NO dielectric composite layer, covers the upper surface of the doped polysilicon contact plug. A second doped polysilicon (poly 2) layer is disposed on the dielectric layer. A process for manufacturing the anti-fuse cell and array includes first providing a semiconductor substrate and forming a first insulating layer on its surface. Next a poly 1 layer (e.g. bit lines) is formed on the surface of the first insulating layer followed by the formation of a second insulating layer over the poly 1 layer. A contact opening that extends into the poly 1 layer is then created in the second insulating layer and filled with a doped polysilicon contact plug. Next, a dielectric layer is formed on the upper surface of the doped polysilicon contact plug, followed by the formation of a poly 2 layer (e.g. word lines) on the upper surface of the dielectric layer.

Dielétrico-baseado anti-funde a pilha e a disposição de pilha, aquela inclui um plugue doped do contato do polysilicon, com uma resistência baixa no estado programado, em uma capacidade baixa, e em uma área pequena da pilha. Dielétrico-baseados anti-fundem a pilha incluem uma primeira camada isolando, tipicamente SiO.sub.2, na superfície de uma carcaça do semicondutor. Um primeiro polysilicon doped (1) a camada poly está na superfície superior da primeira camada isolando e uma segunda camada isolando está sobre a 1 camada poly. Um plugue doped do contato do polysilicon estende com a segunda camada isolando e na 1 camada poly. Uma camada dieléctrica, tipicamente um ONO ou NENHUMA camada composta dieléctrica, tampas a superfície superior do plugue doped do contato do polysilicon. Um segundo polysilicon doped (2) a camada poly é disposta na camada dieléctrica. Um processo para manufaturar anti-funde a pilha e a disposição inclui primeiramente fornecer uma carcaça do semicondutor e dar forma a uma primeira camada isolando em sua superfície. Uma 1 camada poly (por exemplo mordeu linhas) é dada forma em seguida na superfície da primeira camada isolando seguida pela formação de uma segunda camada isolando sobre a 1 camada poly. Uma abertura do contato que estenda na 1 camada poly então é criada na segunda camada isolando e enchida com um plugue doped do contato do polysilicon. Em seguida, uma camada dieléctrica é dada forma na superfície superior do plugue doped do contato do polysilicon, seguida pela formação de umas 2 camadas poly (por exemplo linhas da palavra) na superfície superior da camada dieléctrica.