A semiconductor laser device is disclosed in which the device comprises one or more ion-implanted regions as a means to decrease the occurrence of device failures attributable to dark-line defects. The ion-implanted regions, which are formed between the laser gain cavity and the regions of probable dark-line defect origination, serve to modify the electrical, optical, and mechanical properties of the device lattice structure, thus reducing or eliminating the propagation of dark-line defects emanating from constituent defects or bulk material imperfections which may be present in the device.

Μια συσκευή λέιζερ ημιαγωγών αποκαλύπτεται στην οποία η συσκευή περιλαμβάνει μια ή περισσότερες ιονικός-εμφυτευμένες περιοχές ως μέσα να μειωθεί το περιστατικό των αποτυχιών συσκευών αποδοτέων στις ατέλειες σκοτεινός-γραμμών. Οι ιονικός-εμφυτευμένες περιοχές, που διαμορφώνονται μεταξύ της κοιλότητας κέρδους λέιζερ και των περιοχών της πιθανής αρχικής σύνταξης ατέλειας σκοτεινός-γραμμών, χρησιμεύουν να τροποποιήσουν τις ηλεκτρικές, οπτικές, και μηχανικές ιδιότητες της δομής δικτυωτού πλέγματος συσκευών, μειώνοντας κατά συνέπεια ή αποβάλλοντας τη διάδοση των ατελειών σκοτεινός-γραμμών που προέρχονται από τις ιδρυτικές ατέλειες ή τις μαζικές υλικές ατέλειες που μπορούν να είναι παρούσες στη συσκευή.