In a semiconductor laser which uses a semiconductor of GaN type compound, an optimism material is used for a current blocking layer, so that it is made possible to obtain a semiconductor laser that satisfies a gain guiding structure of high light emitting efficiency or a refractive index guiding structure or both, thereby facilitating control of the noise of oscillated light (reduction of noise), control of the spread of light in lateral direction, and control of the longitudinal mode.

Em um laser do semicondutor que use um semicondutor do tipo composto de GaN, um material do optimism é usado para uma camada de obstrução atual, de modo que seja feito possível obter um laser do semicondutor que satisfaça a uma estrutura guiando do ganho da eficiência se emitindo clara elevada ou uma estrutura guiando ou ambos do índice refractive, facilitando desse modo o controle do ruído da luz oscilada (redução do ruído), o controle da propagação da luz no sentido lateral, e o controle da modalidade longitudinal.