A control method and system when a flash memory is used. as a semiconductor disk or a main memory in an information processing system. A semiconductor file system comprises a first nonvolatile memory electrically erasable, a second nonvolatile memory not electrically erasable, a volatile memory, a controller which controls the memories, and a control section which controls the controller wherein a physical address corresponding to a logical address specified from an external system is accessed. The first nonvolatile memory stores data for the external system to perform operations, first management information indicating the correspondence between physical addresses at which the data is stored and logical addresses, and second management information indicating a state of the first nonvolatile memory. The second nonvolatile memory previously stores interface information required for inputting and outputting the data from and to the external system and read-only data of the data. The controller comprises control means for determining a physical sector address forming predetermined high-order bits of the physical address when data is output from the first nonvolatile memory or when data is input to the volatile memory, means for storing the determined physical sector address, and means for consecutively generating addresses in a sector determined by the physical sector address. The control section is responsive to the interface information, the first management information, and the second management information for controlling input/output of data from/to the external system and for temporarily storing write data into the first nonvolatile memory from the external system in the volatile memory and then transferring the write data from the volatile memory to the first nonvolatile memory. The consecutive address generation means and the sector address storage means output the physical sector address and the consecutively generated addresses to the first nonvolatile memory and the volatile memory when data at the physical sector address is output from the first nonvolatile memory or when data at the physical sector address is input to the volatile memory.

Un método y un sistema de control cuando se utiliza una memoria de destello. como un disco del semiconductor o memoria central en un sistema de la tratamiento de la información. Un sistema de ficheros del semiconductor abarca una primera memoria permanente eléctricamente borrable, una segunda memoria permanente no eléctricamente borrable, una memoria volátil, un regulador que controle las memorias, y una sección de control que controle el regulador en donde una dirección física que corresponde a una dirección lógica especificada de un sistema externo está alcanzada. La primera memoria permanente almacena los datos para que el sistema externo realice operaciones, la primera información de la gerencia que indica la correspondencia entre las direcciones de la comprobación en las cuales se almacenan los datos y las direcciones lógicas, y la segunda información de la gerencia que indica un estado de la primera memoria permanente. La segunda memoria permanente almacena previamente la información del interfaz requerida para entrar y hacer salir los datos y al sistema externo y a los datos inalterables de los datos. El regulador abarca los medios del control para determinar una dirección física del sector que forma pedacitos de categoría alta predeterminados de la dirección física cuando los datos se hacen salir de la primera memoria permanente o cuando los datos se entran a la memoria volátil, a los medios para almacenar la dirección física resuelta del sector, y a los medios para consecutivamente generar direcciones en un sector determinado por la dirección física del sector. La sección de control es responsiva a la información del interfaz, la primera información de la gerencia, y la segunda información de la gerencia para la entrada-salida que controla de los datos from/to el sistema externo y para temporalmente almacenar escribe datos en la primera memoria permanente del sistema externo en la memoria volátil y después la transferencia de los datos del escribir de la memoria volátil a la primera memoria permanente. Los medios consecutivos de la generación de la dirección y los medios del almacenaje de la dirección del sector hacen salir la dirección física del sector y las direcciones consecutivamente generadas a la primera memoria permanente y a la memoria volátil cuando los datos en la dirección física del sector se hacen salir de la primera memoria permanente o cuando los datos en la dirección física del sector se entran a la memoria volátil.

 
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< MRAM cam

> Logic or memory element based on n-stable phase-locking of single-electron tunneling oscillation, and computer using the same

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