A tunable semiconductor laser system includes a laser with a semiconductor active region positioned between upper and lower confining regions of opposite type semiconductor material. First and second reflective members are positioned at opposing edges of the active and confining regions. A wavelength tuning member and a temperature sensor are coupled to the laser. A control loop is coupled to the temperature sensor and the tuning member. In response to a detected change in temperature the control loop sends an adjustment signal to the tuning member and the tuning member adjusts a voltage or current supplied to the laser to provide a controlled output beam of selected wavelength.

Ein tunable Halbleiterlaser System schließt einen Laser mit einer aktiven Region des Halbleiters mit ein, die zwischen die oberen und untereren begrenzenden Regionen der gegenüberliegenden Art Halbleitermaterial in Position gebracht wird. Zuerst und an zweiter Stelle reflektierende Mitglieder werden an entgegensetzenden Rändern der aktiven und begrenzenden Regionen in Position gebracht. Ein abstimmendes Mitglied der Wellenlänge und ein Temperaturfühler werden zum Laser verbunden. Eine Steuerschleife wird zum Temperaturfühler und zum abstimmenden Mitglied verbunden. In Erwiderung auf eine ermittelte Änderung in der Temperatur schickt die Steuerschleife dem abstimmenden Mitglied ein Justagesignal und das abstimmende Mitglied justiert eine Spannung oder einen Strom, die an den Laser geliefert werden, um einen kontrollierten Ausgang Lichtstrahl der vorgewählten Wellenlänge zur Verfügung zu stellen.