A semiconductor device according to the invention is characterized by comprising a heterostructure which comprises an active layer in which carriers can flow within a conduction channel, the heterostructure including a recessed region in which part of the conduction channel is disposed and substantially in the same plane as a pair of side gate, thereby defining a restricted conduction region of the conduction channel.

Ein Halbleiterelement entsprechend der Erfindung wird gekennzeichnet, indem man eine Heterostruktur enthält, die eine aktive Schicht, in der Fördermaschinen innerhalb einer Übertragung Führung fließen können, die Heterostruktur einschließlich eine vertiefte Region enthält, in der der Teil der Übertragung Führung und im wesentlichen in der gleichen Fläche wie ein Paar des seitlichen Gatters abgeschaffen wird, dadurch siedefiniert siedefiniert eine eingeschränkte Übertragung Region der Übertragung Führung.