Disclosed are attenuating embedded phase shift masks capable of producing a phase shift of 180.degree. with an optical transitivity of at least 0.001 at a selected lithographic wavelength less than 200 nm. The masks are comprised of distinct contiguous alternating contiguous layers of an optically transparent material consisting essentially of an oxide selected from the group consisting of oxides of Al and Si and layers. of an optically absorbing material consisting essentially of a nitride selected from the group consisting of nitrides of Al and Si. Such masks are commonly known in the art as attenuating (embedded) phase shift masks or half-tone phase shift masks.

Onthuld verminderen de ingebedde maskers van de faseverschuiving geschikt om een faseverschuiving te veroorzaken van 180.degree. met een optische transitiviteit van minstens 0,001 bij een geselecteerde lithografische golflengte dan minder 200 NM. De maskers worden samengesteld van verschillende aangrenzende afwisselende aangrenzende lagen van een optisch transparant materiaal dat hoofdzakelijk uit een oxyde bestaat dat uit de groep wordt geselecteerd die uit oxyden van Al en Si en lagen bestaat. van een optisch absorberend materiaal dat bestaat hoofdzakelijk uit een nitride geselecteerd=wordt= dat uit de groep die bestaat uit nitriden van Al en Si Dergelijke maskers zijn algemeen gekend in de kunst zoals de verminderende (ingebedde) maskers van de faseverschuiving of de verschuivingsmaskers van de halftintfase.