A method of fabricating a ferroelectric capacitor usable as a memory cell
in a non-volatile integrated circuit memory integrated on a silicon
substrate, preferably including an intermetallic barrier layer. The memory
cell consists of a ferroelectric layer, for example of lead niobium
zirconium titanate (PNZT) sandwiched between metal oxide electrodes, for
example of lanthanum strontium cobaltite (LSCO), which forms with a
crystalline orientation and provides a growth template for the crystalline
formation of the ferroelectric. The intermetallic layer prevents diffusion
of oxygen from the bottom LSCO electrode down to the underlying silicon.
At least the bottom electrode is subjected to a rapid thernal anneal at an
annealing temperature above its growth temperature. Thereby, the
polarization and fatigue characteristics of the ferroelectric cell are
improved. Also, a similar intermetallic layer may be placed above the
ferroelectric cell. A preferred composition of the intermetallic layer is
a refractory silicide, especially a refractory disilicide.
Eine Methode des Fabrizierens eines ferroelectric Kondensators, der als Speicherzelle in einem permanenten Schaltunggedächtnis verwendbar ist, integrierte auf einem Silikonsubstrat, vorzugsweise einschließlich eine intermetallische Grenzschicht. Die Speicherzelle besteht aus einer ferroelectric Schicht, z.B. des Leitung Niobium-Zirkoniumtitanats (PNZT) sandwiched zwischen Metalloxidelektroden, z.B. von Lanthanstrontium cobaltite (LSCO), das mit einer kristallenen Lagebestimmung sich bildet und eine Wachstumschablone für die kristallene Anordnung vom ferroelectric zur Verfügung stellt. Die intermetallische Schicht verhindert Diffusion (Zerstäubung) des Sauerstoffes an der Unterseite LSCO Elektrode unten zum zugrundeliegenden Silikon. Mindestens wird die Grundelektrode einem schnellen thernal tempern bei einer Ausglühentemperatur über seiner Wachstumtemperatur unterworfen. Dadurch werden die Polarisation und die Ermüdungeigenschaften der ferroelectric Zelle verbessert. Auch eine ähnliche intermetallische Schicht kann über die ferroelectric Zelle gesetzt werden. Ein bevorzugter Aufbau der intermetallischen Schicht ist ein refraktärer Silicide, besonders ein refraktärer Disilicide.
