Metal nitrate-containing precursor compounds are employed in atomic layer deposition processes to form metal-containing films, e.g. metal, metal oxide, and metal nitride, which films exhibit an atomically abrupt interface and an excellent uniformity.

Os compostos nitrate-contendo do precursor do metal são empregados em processos atômicos do deposition da camada para dar forma a metal-conter películas, por exemplo metal, óxido de metal, e nitride do metal, que as películas exibem uma relação atômica abrupta e uma uniformidade excelente.