A Group III-V nitride compound semiconductor light emitting device is
constructed without the employing homogeneous layers of AlGaN. Instead of
homogeneous AlGaN cladding layers, GaN cladding layers are utilized. Since
high temperature growths that accompany the formation of AlGaN layers is
no longer required, the stochiometric amount of indium in In.sub.x
Ga.sub.1-x N core layers utilized in the active region may be made greater
to achieve better electrical and optical properties in the device. The
loss of waveguiding achieved by the higher refractive index layers of
AlGaN is compensated by the use of core layers of InGaN on adjacent sides
of the active region comprising In.sub.y Ga.sub.1-y N layer or layers.
Other techniques are disclosed utilizing digital alloying of cladding
layers comprising GaN/AlN superlattices or Al.sub.x Ga.sub.1-x N/Al.sub.y
Ga.sub.1-y N superlattices, or growing Group III-V nitride devices on
selected regions of the growth surface of the substrates so that large
stresses are not produced as would be the case with uniform growth over
the entire growth surface of the substrate.
Приспособление составного полупроводника нитрида группы III-V светлое испуская построено без используя однотиповых слоев AlGaN. Вместо однотиповых слоев плакирования AlGaN, использованы слои плакирования GaN. В виду того что высокие росты температуры сопровождают образование слоев AlGaN no longer необходимы, stochiometric количество индия в слоях сердечника In.sub.x Ga.sub.1-x н использованных в активно зоне может быть сделано более большим достигнуть более лучших электрических и оптически свойств в приспособлении. Потеря waveguiding достиганная более высокими слоями рефрактивного индекса AlGaN компенсирована пользой слоев сердечника InGaN на смежных сторонах активно зоны состоя из слоя или слоев In.sub.y Ga.sub.1-y н. Показаны другие методы используя цифровой сплавлять слоев плакирования состоя из superlattices GaN/AlN или superlattices Al.sub.x Ga.sub.1-x N/Al.sub.y Ga.sub.1-y н, или приспособления нитрида группы III-V на выбранных зонах поверхности роста субстратов так, что большие усилия не будут произведены как был случаем с равномерным ростом над всей поверхностью роста субстрата.
