It is intended to provide a semiconductor device, its manufacturing method and substrate for manufacturing the semiconductor device which ensures that good cleavable surfaces be made stably in a semiconductor layer under precise control upon making edges of cleaves surfaces in the semiconductor layer stacked on a substrate even when the substrate is non-cleavable, difficult to cleave or different in cleavable orientation from the semiconductor layer. A semiconductor layer 2 made of III-V compound semiconductors is stacked to form a laser structure on a sapphire substrate 1. In selective locations other than the location of a ridge stripe portion 11 and a mesa portion 12 along a portion of a semiconductor layer 2 where a cavity edge 3 should be made, namely, in locations at opposite sides of the mesa portion 12, stripe-shaped cleavage-assist grooves 4 are made to extend in parallel to the (11-20)-oriented surface of the semiconductor layer 2, and the semiconductor layer 2 and the sapphire substrate 1 are cleaved from the cleavage-assist groove 4 to make the cavity edge 3 made up of the cleavable surface of the semiconductor layer 2.

È inteso per fornire un dispositivo a semiconduttore, il relativo metodo di fabbricazione ed il substrato per la produzione del dispositivo a semiconduttore che si accerta che le buone superfici cleavable siano fatte stabile in uno strato a semiconduttore sotto controllo preciso sul fare i bordi di fende le superfici nello strato a semiconduttore impilato su un substrato anche quando il substrato è non-non-cleavable, difficile da fendersi o differente nell'orientamento cleavable dallo strato a semiconduttore. Uno strato 2 a semiconduttore ha fatto di III-V che i semiconduttori compound è impilato per formare una struttura del laser su un substrato 1 dello zaffiro. Nelle posizioni selettive tranne la posizione delle parti 11 e una MESA della banda della cresta spartisca 12 lungo una parte di uno strato 2 a semiconduttore dove un bordo 3 della cavità dovrebbe essere fatto, vale a dire, nelle posizioni sui lati opposti della parte 12 di MESA, banda-a forma di fenditura-aiuti le scanalature 4 sono fatti per estendersi parallelamente fino (la superficie 11-20)-oriented dello strato 2 a semiconduttore e lo strato 2 a semiconduttore ed il substrato 1 dello zaffiro sono fenduti dal fenditura-aiutano la scanalatura 4 per fare la cavità orlare 3 composti della superficie cleavable dello strato 2 a semiconduttore.