A method of reworking a photoresist used to pattern a semiconductor structure is provided. A dielectric layer is formed over an anti-reflective coating, the anti-reflective coating covering a first underlayer, the first underlayer covering a second underlayer. A first photoresist layer is formed and patterened over the dielectric layer to yield a desired photoresist pattern. An undesired feature in the patterned first photoresist layer is determined. The patterned first photoresist layer is removed. A second photoresist layer is formed and patterned over the dielectric layer. Exposed portions of the dielectric layer, the anti-reflective coating and the first underlayer are etched. A thin photoresist layer is formed over exposed portions of the second underlayer. A CMP process is performed to remove the dielectric layer. The thin photoresist layer is stripped.

Een methode om photoresist te herwerken die wordt gebruikt wordt om een halfgeleiderstructuur te vormen verstrekt. Een diëlektrische laag wordt gevormd over een anti-weerspiegelende deklaag, de anti-weerspiegelende deklaag die eerste behandelt underlayer, de eerste underlayer behandelend tweede underlayer. Een eerste photoresist laag wordt gevormd en patterened meer dan de diëlektrische laag om een gewenst photoresist patroon op te brengen. Een ongewenste eigenschap in de gevormde eerste photoresist laag wordt bepaald. De gevormde eerste photoresist laag wordt verwijderd. Een tweede photoresist laag wordt gevormd en meer dan de diëlektrische laag gevormd. De blootgestelde gedeelten van de diëlektrische laag, de anti-weerspiegelende deklaag en de eerste worden underlayer geëtst. Een dunne photoresist laag wordt gevormd meer dan blootgestelde gedeelten van de tweede underlayer. Een proces CMP wordt uitgevoerd om de diëlektrische laag te verwijderen. De dunne photoresist laag is gestript.