A light emitting element includes a multi-layered structure including an n-type nitride compound semiconductor layer and a p-type nitride compound semiconductor layer stacked on a substrate, and the multi-layered structure has formed an n-type region extending through the p-type semiconductor layer down to the n-type semiconductor layer to permit the p-side electrode and the n-side electrode to be formed on a common plane. A high-resistance region may be formed to surround the n-type region in order to more effectively block a leak current produced between the n-type region and the p-type nitride compound semiconductor. The light emitting element therefore includes no step on its surface, which simplifies the wafer process and contributes to wider applications of the semiconductor light emitting elements.

Ένα ελαφρύ εκπέμποντας στοιχείο περιλαμβάνει μια πολυστρωματική δομή συμπεριλαμβανομένου ενός σύνθετου στρώματος ημιαγωγών νιτριδίων ν-τύπων και ενός σύνθετου στρώματος ημιαγωγών νιτριδίων π-τύπων που συσσωρεύονται σε ένα υπόστρωμα, και η πολυστρωματική δομή έχει διαμορφώσει μια περιοχή ν-τύπων εκτεινόμενος μέσω του στρώματος ημιαγωγών π-τύπων κάτω στο στρώμα ημιαγωγών ν-τύπων να επιτρέψει στο π-δευτερεύον ηλεκτρόδιο και το ν-δευτερεύον ηλεκτρόδιο για να διαμορφωθεί σε ένα κοινό αεροπλάνο. Μια περιοχή υψηλός-αντίστασης μπορεί να διαμορφωθεί για να περιβάλει την περιοχή ν-τύπων προκειμένου να εμποδιστεί αποτελεσματικότερα ένα ρεύμα διαρροών που παράγεται μεταξύ της περιοχής ν-τύπων και του σύνθετου ημιαγωγού νιτριδίων π-τύπων. Το ελαφρύ εκπέμποντας στοιχείο επομένως δεν περιλαμβάνει κανένα βήμα στην επιφάνειά του, η οποία απλοποιεί τη διαδικασία γκοφρετών και συμβάλλει στις ευρύτερες εφαρμογές των ελαφριών εκπέμποντας στοιχείων ημιαγωγών.