An on-chip vertically stacked decoupling capacitor includes a hardmask film formed between the capacitor dielectric and the lower electrode. The manufacturing process used to form the capacitor takes advantage of the hardmask film and enables the capacitor to be formed over a low-k dielectric material. Attack of the underlying low-k dielectric material is suppressed during the etching and stripping processes used to form the capacitor, due to the presence of the hardmask. The low-k dielectric film provides for a reduced parasitic capacitance between adjacent conductive wires formed in the low-k dielectric material and therefore provides for increased levels of integration.

Un su-circuito integrato impilato verticalmente disaccoppiando il condensatore include una pellicola del hardmask formata fra il dielettrico del condensatore e l'elettrodo più basso. Il processo di manufacturing usato per formare il condensatore approfitta della pellicola del hardmask e permette al condensatore di essere formato sopra un materiale dielettrico basso-K. L'attacco del materiale dielettrico basso-K di fondo è soppresso durante acquaforte ed i processi mettenti a nudo usati per formare il condensatore, dovuto la presenza del hardmask. La pellicola dielettrica bassa-K provvede ad una capacità parassita ridotta fra i legare conduttivi adiacenti formati nel materiale dielettrico basso-K e quindi provvede ai livelli aumentati di integrazione.