A method of making a semiconductor device and the device. The device, according to a first embodiment, is fabricated by providing a silicon (111) surface, forming on the surface a dielectric layer of crystalline silicon nitride and forming an electrode layer on the dielectric layer of silicon nitride. The silicon (111) surface is cleaned and made atomically flat. The dielectric layer if formed of crystalline silicon nitride by placing the surface in an ammonia ambient at a pressure of from about 1.times.10.sup.-7 to about 1.times.10.sup.-5 Torr at a temperature of from about 850.degree. C. to about 1000.degree. C. The electrode layer is heavily doped silicon. According to a second embodiment, there is provided a silicon (111) surface on which is formed a first dielectric layer of crystalline silicon nitride having a thickness of about 2 monolayers. A second dielectric layer compatible with silicon nitride and having a higher dielectric constant than silicon nitride is formed on the first dielectric layer and an electrode layer is formed over the second dielectric layer. A third dielectric layer of silicon nitride having a thickness of about 2 monolayers can be formed between the second dielectric layer and the electrode layer. The second dielectric layer is preferably taken from the class consisting of tantalum pentoxide, titanium dioxide and a perovskite material. Both silicon nitride layers can be formed as in the first embodiment.

Un método de hacer un dispositivo de semiconductor y el dispositivo. El dispositivo, según una primera encarnación, es fabricado proporcionando 111) superficies del silicio (, formando en la superficie a la capa dieléctrica del nitruro de silicio cristalino y formando una capa del electrodo en la capa dieléctrica del nitruro de silicio. Las 111) superficies del silicio (se limpian y se hacen atómico completamente. La capa dieléctrica si es formado del nitruro de silicio cristalino poniendo la superficie en un amoníaco ambiente en una presión alrededor de 1.times.10.sup.-7 alrededor a los torr 1.times.10.sup.-5 en una temperatura alrededor de 850.degree. C. alrededor a 1000.degree. C. La capa del electrodo es silicio pesadamente dopado. Según una segunda encarnación, se proporciona 111) superficies del silicio (en la cual se forme una primera capa dieléctrica del nitruro de silicio cristalino que tiene un grueso de cerca de 2 monolayers. Una segunda capa dieléctrica compatible con el nitruro de silicio y tener una constante dieléctrica más alta que el nitruro de silicio se forma en la primera capa dieléctrica y una capa del electrodo es excedente formado la segunda capa dieléctrica. Una tercera capa dieléctrica del nitruro de silicio que tiene un grueso de cerca de 2 monolayers se puede formar entre la segunda capa dieléctrica y la capa del electrodo. La segunda capa dieléctrica se toma preferiblemente del dióxido del pentoxide del tantalio de la clase que consiste en, titanium y de un material del perovskite. Ambas capas del nitruro de silicio se pueden formar como en la primera encarnación.